图像仅供参考,请参阅规格书
标准包装:1
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:-
包装:散装
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):90V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A,1.1A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):70pF @ 25V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,无引线
供应商器件封装:6-SMD