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GT60M303(Q) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
GT60M303(Q)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:GT60M303

标准包装:100

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):900V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):60A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,60A

功率 - 最大值:170W

开关能量:-

输入类型:标准

栅极电荷:-

25°C 时 Td(开/关)值:460ns/600ns

测试条件:-

反向恢复时间(trr):2.5µs

封装/外壳:TO-3PL

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3P(LH)

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