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GT25Q102 /N CHANNEL IBGT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
GT25Q102的规格信息
GT25Q102的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

集电极直流电流:25A

饱和电压, Vce sat 最大:2.7V

功耗, Pd:200W

电压, Vceo:1.2kV

工作温度范围:-55°C 到 +150°C

封装类型:TO-3P

针脚数:3

上升时间:100ns

下降时间典型值:160ns

功率, Pd:200W

功耗:200W

封装类型:TO-3P (LH)

晶体管极性:?频道

最大功耗:200W

最大连续电流, Ic:25A

电压, Vces:1.2kV

电流, Icm 脉冲:50A

表面安装器件:通孔安装

供应商GT25Q102
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GT25Q102N CHANNEL IBGT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO152.55 Kbytes共6页GT25Q102的PDF下载地址GT10J312,MG15Q6ES50,MG25Q2YS40,MG50Q6ES50A,MIG20J103H,MG15Q6ES50A,MG25Q6ES42,MG400Q1US41
GT25Q102Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO186.26 Kbytes共6页GT25Q102的PDF下载地址RJK6014DPP,GT15Q102_06,GT15Q301_06,GT20J101_06,GT20J301_06,GT10J303_06,GT20J321_06,GT10J312_06,GT10J321_06,GT10Q101_06
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