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GT10J312(Q) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,10A

功率 - 最大值:60W

开关能量:-

输入类型:标准

栅极电荷:-

25°C 时 Td(开/关)值:400ns/400ns

测试条件:300V,10A,100 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):200ns

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-220SM

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