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GT070N15T /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400W(Tc) 类型：N沟道

GT070N15T的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）150V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）140A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻7mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）400W(Tc)

类型N沟道

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GT070N15T	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400W(Tc) 类型：N沟道	GOFORD(谷峰)		1.17 Mbytes	共6页		无

GT070N15T的全球分销商及价格

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立创商城	GT070N15T	GOFORD(谷峰)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥8.91 10+:￥6.66 30+:￥6.24 100+:￥5.83 500+:￥5.65 1000+:￥5.56

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