GSM-065-120-1-N-0
/MOSFET 650V, 120A, 12 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module
GSM-065-120-1-N-0的规格信息
制造商:GaN Systems
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:GaN
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Die
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:120 A
Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压:7 V
Qg-栅极电荷:25 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Bulk
系列:GSM-065
晶体管类型:1 N-Channel
商标:GaN Systems
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1
子类别:MOSFETs
GSM-065-120-1-N-0
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| GSM-065-120-1-N-0 | MOSFET 650V, 120A, 12 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module | GaN Systems |  | 212.84 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
GSM-065-120-1-N-0的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | GSM-065-120-1-N-0 | GaN Systems | MOSFET 650V, 120A, 12 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module | 1:¥2,657.2063
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