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GS8640E36GT-200V /静态随机存取存储器 1.8/2.5V 2M x 36 72M
GS8640E36GT-200V的规格信息
GS8640E36GT-200V的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:GSI Technology

产品种类:静态随机存取存储器

RoHS:

存储容量:72 Mbit

组织:2 M x 36

访问时间:7.5 ns

最大时钟频率:200 MHz

接口类型:Parallel

电源电压-最大:2.7 V

电源电压-最小:1.7 V

电源电流—最大值:230 mA, 310 mA

最小工作温度:0 C

最大工作温度:+ 70 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TQFP-100

封装:Tray

存储类型:SDR

系列:GS8640E36GT

类型:DCD Synchronous Burst

商标:GSI Technology

湿度敏感性:Yes

产品类型:SRAM

工厂包装数量:18

子类别:Memory & Data Storage

商标名:SyncBurst

供应商GS8640E36GT-200V
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深圳市芯幂科技有限公司GS8640E36GT-200V深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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GS8640E36GT-200V4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs GSI[GSI Technology]GSI[GSI Technology]的LOGO926.14 Kbytes共23页GS8640E36GT-200V的PDF下载地址GS864418,GS864018T,GS864018T-V,GS8640V18T,GS864218B-V,GS864418E-V,GS8644V18B,GS840H18AT,GS882V37AB,GS88218BB-V
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GS8640E36GT-200VGSI TechnologySRAM SYNC SGL 1.8V/2.5V 72MBIT 2MX36 7.5NS/3NS 100TQFP - Trays9 : $112.405
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GS8640E36GT-200VGSI Technology静态随机存取存储器 1.8/2.5V 2M x 36 72M18:¥729.3698
36:¥677.2655