GS8161E36DGT-250的供应商，GS8161E36DGT-250规格参数，GS8161E36DGT-250的PDF资料

GS8161E36DGT-250 /静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M

GS8161E36DGT-250的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:GSI Technology

产品种类:静态随机存取存储器

RoHS:是

存储容量:18 Mbit

组织:512 k x 36

访问时间:5.5 ns

最大时钟频率:250 MHz

接口类型:Parallel

电源电压-最大:3.6 V

电源电压-最小:2.3 V

电源电流—最大值:230 mA, 250 mA

最小工作温度:0 C

最大工作温度:+ 70 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TQFP-100

封装:Tray

存储类型:SDR

系列:GS8161E36DGT

类型:DCD Pipeline/Flow Through

商标:GSI Technology

湿度敏感性:Yes

产品类型:SRAM

工厂包装数量:36

子类别:Memory & Data Storage

商标名:SyncBurst

GS8161E36DGT-250的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	GS8161E36DGT-250	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	GS8161E36DGT-250	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
北京芯时代电子科技发展有限公司	GS8161E36DGT-250	北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座602	13261242936 13261242936	王静	询价
深圳市科之盛科技有限公司	GS8161E36DGT-250	深圳市福田区红荔路3013-5号上航大厦西座4楼410	0755-82557986 18344149312 / 17608487023	曾舒媚	询价
深圳市新启创电子科技有限公司	GS8161E36DGT-250	深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A	0755-83987343 13828773769	胡双能	询价
深圳市微碧半导体有限公司	GS8161E36DGT-250	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价

GS8161E36DGT-250及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
GS8161E36DGT-250	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M	GSI Technology	303.41 Kbytes	共37页	无
GS8161E36DGT-250I	静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M	GSI Technology	303.41 Kbytes	共37页	无
GS8161E36DGT-250IV	静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M	GSI Technology	335.50 Kbytes	共35页	无
GS8161E36DGT-250V	静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M	GSI Technology	335.50 Kbytes	共35页	无

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