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GS8160E18DGT-200V /静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M
GS8160E18DGT-200V的规格信息
GS8160E18DGT-200V的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:GSI Technology

产品种类:静态随机存取存储器

RoHS:

存储容量:18 Mbit

组织:1 M x 18

访问时间:6.5 ns

最大时钟频率:200 MHz

接口类型:Parallel

电源电压-最大:2.7 V

电源电压-最小:1.7 V

电源电流—最大值:190 mA, 195 mA

最小工作温度:0 C

最大工作温度:+ 70 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TQFP-100

封装:Tray

存储类型:SDR

系列:GS8160E18DGT

类型:DCD Synchronous Burst

商标:GSI Technology

湿度敏感性:Yes

产品类型:SRAM

工厂包装数量:18

子类别:Memory & Data Storage

商标名:SyncBurst

供应商GS8160E18DGT-200V
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