GS-010-120-1-P-E01-MR
/MOSFET 100V 120A E-Mode GaN Bottom-side Cooled
GS-010-120-1-P-E01-MR的规格信息
制造商:GaN Systems
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:GaN
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Die
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:120 A
Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V to 7 V
Qg-栅极电荷:18 nC
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
商标:GaN Systems
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
零件号别名:GS-010-120-1-P-E01-MR
GS-010-120-1-P-E01-MR
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GS-010-120-1-P-E01-MR的全球分销商及价格
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 Mouser 贸泽电子 | GS-010-120-1-P-E01-MR | GaN Systems | MOSFET 100V 120A E-Mode GaN Bottom-side Cooled | 1:¥91.7447 10:¥88.8293 25:¥84.6822 250:¥78.6028 1,000:¥76.5349
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