GS-010-120-1-P-E01-MR的供应商，GS-010-120-1-P-E01-MR规格参数，GS-010-120-1-P-E01-MR的PDF资料

GS-010-120-1-P-E01-MR /MOSFET 100V 120A E-Mode GaN Bottom-side Cooled

GS-010-120-1-P-E01-MR的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:GaN Systems

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:GaN

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Die

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V to 7 V

Qg-栅极电荷:18 nC

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:GaN Systems

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

零件号别名:GS-010-120-1-P-E01-MR

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深圳市安富世纪电子有限公司	GS-010-120-1-P-E01-MR	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
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GS-010-120-1-P-E01-MR的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	GS-010-120-1-P-E01-MR	GaN Systems	MOSFET 100V 120A E-Mode GaN Bottom-side Cooled	1:¥91.7447 10:¥88.8293 25:¥84.6822 250:¥78.6028 1,000:¥76.5349

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