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GS-010-120-1-P-E01-MR /MOSFET 100V 120A E-Mode GaN Bottom-side Cooled
GS-010-120-1-P-E01-MR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:GaN Systems

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:GaN

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Die

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V to 7 V

Qg-栅极电荷:18 nC

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:GaN Systems

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

零件号别名:GS-010-120-1-P-E01-MR

供应商GS-010-120-1-P-E01-MR
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10:¥88.8293
25:¥84.6822
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1,000:¥76.5349