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GP1M018A020PG /Global Power Technologies Group/分立半导体产品
GP1M018A020PG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品相片:I-Pak

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:剪切带(CT)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 9A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 25V

功率 - 最大值:94W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

供应商器件封装:I-Pak

其它名称:1560-1190-11560-1190-1-ND

供应商GP1M018A020PG
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