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GHIS080A120S-A2 /Global Power Technologies Group/分立半导体产品
GHIS080A120S-A2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:25

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 模块

系列:-

IGBT 类型:沟道和场截止

配置:单一

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):160A

功率 - 最大值:480W

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,80A

电流 - 集电极截止(最大值):2mA

不同?Vce 时的输入电容(Cies):*

输入:标准

NTC 热敏电阻:

安装类型:底座安装

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装:SOT-227

其它名称:1560-11341560-1134-51560-1134-NDGHIS080A120SA2

供应商GHIS080A120S-A2
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