制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:8 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:37 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:12 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:78 ns

典型接通延迟时间:24 ns