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GES6016 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 70Vcbo 70Vces 60Vces 5.0Vebo 625mW
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

集电极—基极电压 VCBO:70 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.5 V

最大直流电集电极电流:800 mA

增益带宽产品fT:425 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:GES6016

直流电流增益 hFE 最大值:500

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:800 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:130

Pd-功率耗散:1 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:500

子类别:Transistors

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100:¥18.984
250:¥17.1308