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GB100XCP12-227 /IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak
GB100XCP12-227的规格信息
GB100XCP12-227的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:GeneSiC Semiconductor

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

技术:SiC

产品:IGBT Silicon Carbide Modules

配置:IGBT-Inverter

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.9 V

栅极—射极漏泄电流:400 nA

封装 / 箱体:SOT-227

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Bulk

系列:GB100XCP12

商标:GeneSiC Semiconductor

安装风格:SMD/SMT

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

单位重量:30 g

供应商GB100XCP12-227
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深圳市芯幂科技有限公司GB100XCP12-227深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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Mouser 贸泽电子		GB100XCP12-227GeneSiC SemiconductorIGBT - 模块 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak1+:￥1533.89
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10+:￥1479.98
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