包装管件
系列汽车级，AEC-Q101
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）34.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）60 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）15nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1000pF @ 400V
FET 功能-
功率耗散（最大值）143W（Ta）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3