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GA200SA60U /Vishay Semiconductor Diodes Division/分立半导体产品
GA200SA60U的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:10

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 模块

系列:-

IGBT 类型:-

配置:单一

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):200A

功率 - 最大值:500W

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值):1mA

不同?Vce 时的输入电容(Cies):16.5nF @ 30V

输入:标准

NTC 热敏电阻:

安装类型:底座安装

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装:SOT-227B

其它名称:*GA200SA60UVS-GA200SA60UVS-GA200SA60U-NDVSGA200SA60UVSGA200SA60U-ND

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GA200SA60UINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO197.24 Kbytes共8页GA200SA60U的PDF下载地址MGS13002D,NTE3300,MGP4N60E,2PG402,BUK856-800A,IRG4BC20KDS,IRG4BC30KDS,IRGBC20UD2,IRGPC30MD2,IRGPC50UD2
GA200SA60UPInsulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO153.03 Kbytes共8页GA200SA60UP的PDF下载地址
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GA200SA60UPVishay DaleIGBT N-CH 200A 600V10 : $39.36
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GA200SA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 600V 200A 500W SOT227BObsolete
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