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GA03JT12-247 /GeneSiC Semiconductor/分立半导体产品
GA03JT12-247的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:碳化硅,常闭

FET 功能:超级结

漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc)(95°C)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):460 毫欧 @ 3A

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:91W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247AB

其它名称:1242-1164GA03JT12247

供应商GA03JT12-247
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GA03JT12-247GeneSiC SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A1+:¥67.2
10+:¥60.4901
50+:¥55.12
100+:¥49.74
250+:¥45.71
500+:¥41.67
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100+:¥39.42
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5000+:¥34.75011+:¥42.49
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GA03JT12-247GeneSic Semiconductor IncTRANS SJT 1200V 3A TO-247AB500 : $5.72974
250 : $6.28424
100 : $6.8387
50 : $7.578
10 : $8.317
1 : $9.24
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GA03JT12-247GeneSiC SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A1+:¥67.2
10+:¥60.4901
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100+:¥49.74
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1000+:¥36.29
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GA03JT12-247GeneSiC SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A1+:¥67.2
10+:¥60.4901
50+:¥55.12
100+:¥49.74
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100+:¥39.42
250+:¥39.42
500+:¥39.42
1000+:¥36.2
2500+:¥35.76
5000+:¥34.7501