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G80N03 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道
G80N03的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻6mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)60W(Tc)

类型N沟道

供应商G80N03
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G80N03连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道GOFORD(谷峰)GOFORD(谷峰)的LOGO1.84 Mbytes共6页G80N03的PDF下载地址
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G80N03GOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.612
10+:¥1.1822
30+:¥1.1033
100+:¥1.0243
500+:¥0.9892
1000+:¥0.9719