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G6P06 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:96mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:P沟道
G6P06的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻96mΩ @ 4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W(Tc)

类型P沟道

供应商G6P06
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G6P06连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:96mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:P沟道GOFORD(谷峰)GOFORD(谷峰)的LOGO1.39 Mbytes共6页G6P06的PDF下载地址
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G6P06GOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:96mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:P沟道1+:¥0.8615
10+:¥0.6366
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