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G66 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):-16V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:P沟道
G66的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-16V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.8A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻45mΩ @ 4.1A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.7W

类型P沟道

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G66GOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):-16V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:P沟道5+:¥0.562325
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