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G5N50K /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道
G5N50K的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)500V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.4Ω @ 2.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)45W(Tc)

类型N沟道

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G5N50K连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道GOFORD(谷峰)GOFORD(谷峰)的LOGO1.61 Mbytes共10页G5N50K的PDF下载地址
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G5N50KGOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.7805
10+:¥1.3156
30+:¥1.2303
100+:¥1.1449
500+:¥1.107
1000+:¥1.0882