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G33N03D3 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:双N沟道
G33N03D3的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)33A(Tc)

栅源极阈值电压1.1V @ 250uA

漏源导通电阻12mΩ @ 18A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)20W(Tc)

类型双N沟道

供应商G33N03D3
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G33N03D3GOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:双N沟道1+:¥0.9573
10+:¥0.7074
30+:¥0.6615
100+:¥0.6156
500+:¥0.5952
1000+:¥0.5851