G30N04D3的供应商，G30N04D3规格参数，G30N04D3的PDF资料

G30N04D3 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19.8W(Tc) 类型：N沟道

G30N04D3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）40V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）30A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻95mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）19.8W(Tc)

类型N沟道

G30N04D3

G30N04D3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	G30N04D3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	G30N04D3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	G30N04D3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	G30N04D3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市联芯邦科技有限公司	G30N04D3	深圳市龙华区上芬地铁口融创智汇大厦A座901-902室/深圳市福田区深纺大厦AB座2楼有谷电子市场B023室	18898775818 18898775818,13612825669	廖先生，连敏妹	询价
北京金州智业科技有限公司	G30N04D3	www.bjjzzy.com	13683302275 13683302275	王先生	询价

G30N04D3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
G30N04D3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19.8W(Tc) 类型：N沟道	GOFORD(谷峰)		656.57 Kbytes	共6页		无

G30N04D3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	G30N04D3	Goford Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L	$0.73000
立创商城	G30N04D3	GOFORD(谷峰)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19.8W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.2444 10+:￥0.9196 30+:￥0.8599 100+:￥0.8002 500+:￥0.7737 1000+:￥0.7606

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