G3035-23
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：P沟道
G3035-23的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻55mΩ @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.2W
类型P沟道
G3035-23
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| G3035-23 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：P沟道 | GOFORD(谷峰) |  | 1.99 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
G3035-23的全球分销商及价格
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立创商城 | G3035-23 | GOFORD(谷峰) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：P沟道 | 10+:￥0.281163
100+:￥0.206193
300+:￥0.192423
1000+:￥0.178653
5000+:￥0.172533
10000+:￥0.169509
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