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G2305 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:P沟道
G2305的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.8A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻50mΩ @ 4.1A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.7W

类型P沟道

供应商G2305
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G2305GOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:P沟道10+:¥0.243675
100+:¥0.178701
300+:¥0.166767
1000+:¥0.154833
5000+:¥0.149529
10000+:¥0.146908
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G2305LGE(鲁光)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:P沟道10+:¥0.224885
100+:¥0.16241
300+:¥0.150935
1000+:¥0.13946
5000+:¥0.13436
10000+:¥0.13184