G18N20K
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65.8W(Tc) 类型:N沟道
G18N20K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻160mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)65.8W(Tc)
类型N沟道
G18N20K
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G18N20K | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65.8W(Tc) 类型:N沟道 | GOFORD(谷峰) |  | 4.39 Mbytes | 共9页 |  | 无 |
G18N20K的全球分销商及价格
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 立创商城 | G18N20K | GOFORD(谷峰) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65.8W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.8187 10+:¥1.3439 30+:¥1.2567 100+:¥1.1695 500+:¥1.1308 1000+:¥1.1116
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