G12P10K
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:P沟道
G12P10K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻200mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)40W(Tc)
类型P沟道
G12P10K
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