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G110N06K /连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道
G110N06K的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)55V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)110A(Tc)

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻6.4mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)120W(Tc)

类型N沟道

供应商G110N06K
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G110N06K连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道GOFORD(谷峰)GOFORD(谷峰)的LOGO3.43 Mbytes共7页G110N06K的PDF下载地址
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G110N06KGOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.67
10+:¥1.97
30+:¥1.84
100+:¥1.71
500+:¥1.66
1000+:¥1.63