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FZ1200R33KF2C /IGBT 模块 3300V 1200A SINGLE
FZ1200R33KF2C的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

配置:Triple Common Emitter Common Gate

集电极—发射极最大电压 VCEO:3300 V

集电极—射极饱和电压:3.4 V

在25 C的连续集电极电流:2000 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:14.5 kW

封装 / 箱体:IS5a ( 62 mm )-9

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

封装:Tray

高度:38 mm

长度:190 mm

宽度:140 mm

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

零件号别名:FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603

供应商FZ1200R33KF2C
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