典型关断延迟时间110（P 通道）ns，125（N 通道）ns

典型接通延迟时间19（N 通道）ns，19（P 通道）ns

典型栅极电荷@Vgs18.4 nC @ -4 V（P 沟道），18.5 nC @ 4 V（N 沟道）

典型输入电容值@Vds1530 pF @ 10 V（N 沟道），1720 pF @ -10 V（P 沟道）

安装类型表面贴装

宽度4.4mm

封装类型SOP 8

尺寸5 x 4.4 x 1.5mm

引脚数目8

最大功率耗散2.5 W

最大栅源电压±10 V

最大漏源电压20（N 通道）V，-20（P 通道）V

最大漏源电阻值33（N 通道）mΩ，59（P 通道）mΩ

最大连续漏极电流-6（P 通道）A，7（N 通道）A

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目2

类别通用

通道模式增强

通道类型N，P

配置双、双漏极

长度5mm

高度1.5mm