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FW349-TL-E /SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation/分立半导体产品
FW349-TL-E的规格信息
FW349-TL-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):45V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A,4.5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):37 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):860pF @ 20V

功率 - 最大值:1.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:8-SOP

其它名称:869-1168-2

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