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FSB649 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
FSB649的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SuperSOT-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V

集电极—基极电压 VCBO:35 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:600 mV

最大直流电集电极电流:3 A

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:FSB649

直流电流增益 hFE 最大值:300

高度:1.5 mm

长度:2.92 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:3 A

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:30 mg

供应商FSB649
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现代芯城(深圳)科技有限公司FSB649www.nowchip.com0755-27381274
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FSB649Fairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation1+:¥3.2
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FSB649Fairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation1+:¥3.2
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Digi-Key 得捷电子
FSB649Fairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation1+:¥3.2
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Mouser 贸泽电子
FSB649Fairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation1+:¥3.2
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Mouser 贸泽电子
FSB649ON Semiconductor / Fairchild双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation1:¥3.1527
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FSB649Fairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation1+:¥3.2
10+:¥2.51
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Verical
FSB649Fairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation1+:¥3.2
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