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FQU4N50TU-WS /MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
FQU4N50TU-WS的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:6.3 mm

长度:6.8 mm

系列:FQU4N50TU_WS

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:2.5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:5040

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:FQU4N50TU_WS

单位重量:343.080 mg

供应商FQU4N50TU-WS
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