不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：350pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），28W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：115 毫欧 @ 5.5A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.4nC @ 5V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs