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FQPF19N20C /MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
FQPF19N20C的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:19 A

Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:43 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:16.07 mm

长度:10.36 mm

系列:FQPF19N20C

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:10.8 S

下降时间:115 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:150 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:135 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:FQPF19N20C_NL

单位重量:2.270 g

供应商FQPF19N20C
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深圳市威雅利发展有限公司FQPF19N20C华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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13202105858
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深圳市坤融电子有限公司FQPF19N20C航都大厦10I0755-23990975
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13352985419,19076157484
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13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司FQPF19N20C深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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深圳市星宇佳科技有限公司FQPF19N20C深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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FQPF19N20C及相关型号的PDF资料
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FQPF19N20C200V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO1144.4 Kbytes共10页FQPF19N20C的PDF下载地址STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQP4N20L,FQPF4N20,IRF620B,IRFW620B,FDD2612,FQAF34N20
FQPF19N20C的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
FQPF19N20CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET1+:¥8.43
10+:¥7.46
25+:¥6.73
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10000+:¥3.1799
25000+:¥3.09
50000+:¥3.02135+:¥3.14
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Arrow(艾睿)
FQPF19N20CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET1+:¥8.43
10+:¥7.46
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50000+:¥3.02135+:¥3.1425+:¥7.15
100+:¥5.97
250+:¥5.6899
500+:¥5.191+:¥3.43
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Arrow(艾睿)
FQPF19N20CYDTUFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
FQPF19N20CON SemiconductorMOSFET N-CH 200V 19A TO220F$1.71000
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Digi-Key 得捷电子
FQPF19N20CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET1+:¥8.43
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Digi-Key 得捷电子
FQPF19N20CYDTUON SemiconductorMOSFET N-CH 200V 19A TO220F-3Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
FQPF19N20CYDTUFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品价格未公开
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Mouser 贸泽电子
FQPF19N20CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET1+:¥8.43
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Mouser 贸泽电子
FQPF19N20CON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8591
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Mouser 贸泽电子
FQPF19N20CYDTUFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品价格未公开
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FQPF19N20CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET1+:¥8.43
10+:¥7.46
25+:¥6.73
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100+:¥5.97
250+:¥5.6899
500+:¥5.191+:¥3.431+:¥4.0101
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100+:¥3.89
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1000+:¥3.76
5000+:¥3.74
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)
FQPF19N20CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET1+:¥8.43
10+:¥7.46
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10+:¥5.1801
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100+:¥5.97
250+:¥5.6899
500+:¥5.19
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立创商城
FQPF19N20CON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):19A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 9.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.23
10+:¥4.11