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FQI4N90TU /MOSFET 900V N-Channel QFET
FQI4N90TU的规格信息
FQI4N90TU的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:4.2 A

Rds On-漏源导通电阻:3.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:7.88 mm

长度:10.29 mm

系列:FQI4N90

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.83 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:3.5 S

下降时间:40 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:70 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:FQI4N90TU_NL

单位重量:2.084 g

供应商FQI4N90TU
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深圳市威雅利发展有限公司FQI4N90TU华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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集好芯城FQI4N90TU深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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13352985419,19076157484
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FQI4N90TUFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品1+:¥14.75
10+:¥13.29
25+:¥11.87
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Digi-Key 得捷电子
FQI4N90TUON SemiconductorMOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK$1.02760
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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