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FP75R07N2E4 /IGBT 模块 IGBT Module 75A 650V
FP75R07N2E4的规格信息
FP75R07N2E4的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.95 V

在25 C的连续集电极电流:75 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:250 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:FP75R07N2E4BOSA1 SP000843284

供应商FP75R07N2E4
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北京金州智业科技有限公司FP75R07N2E4B11BOSA1www.bjjzzy.com13683302275
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Digi-Key 得捷电子		FP75R07N2E4Infineon TechnologiesFP75R07 - IGBT MODULE$74.00000
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Digi-Key 得捷电子		FP75R07N2E4B11BOSA1Infineon TechnologiesIGBT MODULE 650V 75A$98.35000
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Mouser 贸泽电子		FP75R07N2E4_B11Infineon TechnologiesIGBT 模块 IGBT Module 75A 650V1:¥705.0861
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