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FP35R12KT4_B15 /IGBT 模块 IGBT 1200V 35A
FP35R12KT4_B15的规格信息
FP35R12KT4_B15的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.15 V

在25 C的连续集电极电流:35 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

Pd-功率耗散:210 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:FP35R12KT4B15BOSA1 SP000408732

供应商FP35R12KT4_B15
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