标准包装：24

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：HiPerFET??

包装：管件

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：75A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 4mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：180nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：i4-Pac?-5

供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC?