制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:IGBT 模块

RoHS:否

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.2 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:21PM-BA

商标:Fairchild Semiconductor

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V

最小工作温度:- 40 C

安装风格:SMD/SMT

Pd-功率耗散:125 W

系列:FMC7G50US60