晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电阻器-基底(R1)(欧姆):47k,4.7k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):47k,10k
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V,30 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 10mA,500µA
频率-跃迁:250MHz
功率-最大值:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SMT5
封装形式Package:SMT
极性Polarity:NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic:100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO:50V
无铅情况/RoHs:否