数据列表:FK3P0211 View All Specifications
特色产品:FJ3P02100L and FK3P02110L Series Power CSP MOSFET’s Power CSP MOSFETs
标准包装:7,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 3A,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1500pF @ 10V
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-SMD,非标准型
供应商器件封装:3-PMCP
其它名称:FK3P02110LTR