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FJN3314RTA /双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial
FJN3314RTA的规格信息
FJN3314RTA的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:NPN

典型输入电阻器:4.7 kOhms

典型电阻器比率:0.1

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3 Kinked Lead

直流集电极/Base Gain hfe Min:68

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:0.1 A

峰值直流集电极电流:100 mA

Pd-功率耗散:300 mW

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:FJN3314R

封装:Ammo Pack

直流电流增益 hFE 最大值:68

发射极 - 基极电压 VEBO:10 V

高度:5.33 mm

长度:5.2 mm

类型:NPN Epitaxial Silicon Transistor

宽度:4.19 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

单位重量:240 mg

供应商FJN3314RTA
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Verical		FJN3314RTAFairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN Si Transistor Epitaxial2000+:￥0.27
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