数据列表：FJ3P0210 View All Specifications

特色产品：FJ3P02100L and FK3P02110L Series Power CSP MOSFET’s Power CSP MOSFETs

标准包装：7,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.4A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.5 毫欧 @ 3.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.05V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3000pF @ 10V

功率 - 最大值：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，非标准型

供应商器件封装：3-PMCP

其它名称：FJ3P02100LTR