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FID60-06D /IGBT 晶体管 60 Amps 600V
FID60-06D的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:ISOPLUS i4-PAC-5

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:65 A

Pd-功率耗散:200 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:FID60-06D

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:100 A

高度:21.34 mm

长度:20.29 mm

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

宽度:5.21 mm

商标:IXYS

集电极连续电流:65 A

栅极—射极漏泄电流:200 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:25

子类别:IGBTs

商标名:ISOPLUS i4-PAC

供应商FID60-06D
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FID60-06DIGBT Boost Chopper in ISOPLUS i4-PAC IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO49.16 Kbytes共2页FID60-06D的PDF下载地址APTGT50DDA60T3,APTGT50DDA120T3,APTGT75DDA60T3,FMD40-06KC,APT30GF60JU2,APTGT100DA170T,APTGT100DDA60T3,APTGT100DA170D1,APTGT150DA170,APTGT150DA170D1
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FID60-06DIXYSIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 60 Amps 600V25+:¥79.39
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Digi-Key 得捷电子
FID60-06DIXYSIGBT 600V 65A 200W I4PAC5Obsolete
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FID60-06DIXYSIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 60 Amps 600V25+:¥79.391+:¥73.5499
10+:¥70.57
100+:¥66.42
250+:¥63.5299
500+:¥63.5299
1000+:¥58.33
2500+:¥57.19
5000+:¥57.87
10000+:¥58.641+:¥69.05
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Mouser 贸泽电子
FID60-06DIGBT 晶体管 60 Amps 600V1:¥99.7338
10:¥90.6712
25:¥83.9138
50:¥79.0661
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FID60-06DIXYSIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 60 Amps 600V25+:¥79.391+:¥73.5499
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