图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:IXYS
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS:是
技术:Si
封装 / 箱体:ISOPLUS i4-PAC-5
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.6 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:65 A
Pd-功率耗散:200 W
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:FID60-06D
封装:Tube
集电极最大连续电流 Ic:100 A
高度:21.34 mm
长度:20.29 mm
工作温度范围:- 55 C to + 150 C
宽度:5.21 mm
商标:IXYS
集电极连续电流:65 A
栅极—射极漏泄电流:200 nA
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:25
子类别:IGBTs
商标名:ISOPLUS i4-PAC