FHP4N60A
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道
FHP4N60A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.1Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)75W(Tc)
类型N沟道
FHP4N60A
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FHP4N60A | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道 | FeiHong(飞虹) |  | 1.14 Mbytes | 共12页 |  | 无 |
FHP4N60A的全球分销商及价格
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 立创商城 | FHP4N60A | FeiHong(飞虹) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.4374 10+:¥1.05 30+:¥0.9789 100+:¥0.9077 500+:¥0.8761 1000+:¥0.8605
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