FHF2N60E
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W(Tc) 类型:N沟道
FHF2N60E的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)27W(Tc)
类型N沟道
FHF2N60E
FHF2N60E及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
FHF2N60E | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W(Tc) 类型:N沟道 | FeiHong(飞虹) |  | 978.37 Kbytes | 共12页 |  | 无 |
FHF2N60E的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | FHF2N60E | FeiHong(飞虹) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.1823 10+:¥0.8637 30+:¥0.8052 100+:¥0.7467 500+:¥0.7207 1000+:¥0.7078
|