• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
FHD2N60E /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道
FHD2N60E的规格信息
暂无图片

图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)35W(Tc)

类型N沟道

供应商FHD2N60E
FHD2N60E的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市宇浩扬科技有限公司FHD2N60E深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FHD2N60E深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
万三科技(深圳)有限公司FHD2N60E深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
18188642307
王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市博浩通科技有限公司FHD2N60E华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
集好芯城FHD2N60E深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FHD2N60E深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
FHD2N60E及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
FHD2N60E连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道FeiHong(飞虹)FeiHong(飞虹)的LOGO978.37 Kbytes共12页FHD2N60E的PDF下载地址
FHD2N60E的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
FHD2N60EFeiHong(飞虹)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道1+:¥0.881
10+:¥0.6436
30+:¥0.6
100+:¥0.5564
500+:¥0.537
1000+:¥0.5274