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FGL60N100BNTDTU /IGBT 晶体管 HIGH POWER
FGL60N100BNTDTU的规格信息
FGL60N100BNTDTU的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-264-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1000 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

栅极/发射极最大电压:25 V

在25 C的连续集电极电流:60 A

Pd-功率耗散:180 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:FGL60N100BNTD

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:60 A

高度:26 mm

长度:20 mm

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:60 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 500 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:375

子类别:IGBTs

零件号别名:FGL60N100BNTDTU_NL

单位重量:6.756 g

供应商FGL60N100BNTDTU
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司FGL60N100BNTDTU深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FGL60N100BNTDTU深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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FGL60N100BNTDTU及相关型号的PDF资料
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FGL60N100BNTDTU1000 V, 60 A NPT Trench IGBT FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO394.77 Kbytes共7页FGL60N100BNTDTU的PDF下载地址无
FGL60N100BNTDTU的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FGL60N100BNTDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 HIGH_POWER1+:￥49.17
25+:￥40.2999
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FGL60N100BNTDTUON Semiconductor / FairchildIGBT 晶体管 HIGH POWER375:¥29.5834
750:¥26.5098
1,125:¥22.3627
2,625:¥21.2892
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FGL60N100BNTDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 HIGH_POWER1+:￥49.17
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10+:￥14.46
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100+:￥13.71
500+:￥13.55
1000+:￥13.34
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